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(3)ReS2闪存表现了优异的耐久性和记忆力(4)更重要的是，济南济南济南利用ReS2各向异性的电学特性，济南济南济南在单个ReS2薄片可以实现晶向相关的多态数据存储，提高了存储器存储容量。另外，府志府城非易失性存储器件的主流-闪存(Flashmemory)也停止了平面物理尺寸的缩放
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基于这些特征，济南济南济南 ReS2闪存器件有望服务于计算机整个内存层次结构。府志府城本文参考文献： EnxiuWu,YuanXie,ShijieWang,DaihuaZhang,XiaodongHu,JingLiu.Multiple-levelFlashMemoryBasedonStackedAnisotropicReS2-BoronNitride-GrapheneHeterostructures.Nanoscale,2020,DOI:10.1039/D0NR03965A.图文导读图1：ReS2器件结构及其各向异性电学性能表征图2：b轴晶向上ReS2存储器性能表征图3：晶向相关的ReS2多位闪存设计 通讯作者及团队介绍胡晓东天津大学教授。